

1.拉單晶
拉單晶?是從熔體中生長(zhǎng)單晶體的工藝,主流為?直拉法?(CZ 法),這是制造半導(dǎo)體硅片的核心技術(shù) 。

2. 磨外圓
把不規(guī)則硅棒磨削成直徑精準(zhǔn)、全長(zhǎng)均勻的標(biāo)準(zhǔn)圓柱體。
3. 切片
硅單晶切片,就是把直拉 / 區(qū)熔硅單晶棒加工成薄硅片(光伏硅片、半導(dǎo)體晶圓毛坯片)的核心工序,行業(yè)簡(jiǎn)稱切片(Slicing)。
4. 倒角
晶棒多線切片之后,晶圓側(cè)邊形成尖銳直角;晶圓倒角就是利用成型金剛石磨輪,磨削去除晶圓上下表面與側(cè)面相交的銳利棱角,把邊緣加工成指定輪廓(R 圓弧型 / T 梯形)。
5. 磨削/研磨
硅晶圓原始厚度:775 μm(300mm 硅片)/625μm(200mm);前道做完電路之后,需要磨削背面硅基底,把晶圓減薄,滿足封裝散熱、堆疊、超薄芯片需求。
6. CMP拋光
CMP 俗稱化學(xué)機(jī)械平坦化,是集成電路制造唯一可實(shí)現(xiàn)整片晶圓全局平坦化的核心工藝。 多層薄膜沉積、刻蝕后晶圓表面形成高低臺(tái)階;如果不做平坦化,光刻景深不足、圖形偏移,造成短路斷路。90nm 及以下先進(jìn)制程必不可少。
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